klevoz.ru страница 1
скачать файл

Національна академія наук України



Інститут фізики

Цикл наукових праць "ПРОЦЕСИ ФОТОГЕНЕРАЦІЇ ТА ПЕРЕНЕСЕННЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В ТОНКОПЛІВКОВИХ СТРУКТУРАХ ОРГАНІЧНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ"

Луцик Петро Миколайович - кандидат фізико-математичних наук,


науковий співробітник Інституту фізики НАН України

(підпис)




реферат
Київ – 2013

В останні десятиліття досягнуто значних успіхів у синтезі та дослідженні органічних напівпровідників – перспективного матеріалу для оптоелектронного та фотовольтаїчного застосування (польові транзистори, світлодіоди, сонячні елементи, оптичні перемикачі, сенсори, тощо). При цьому швидко зростаючий інтерес в розробці органічних електронних пристроїв пов'язаний з появою нових прикладних застосувань органічних матеріалів, наприклад використання світлодіодів на основі тонкоплівкових структур органічних напівпровідників в дисплеях сучасних мобільних телефонів.

На даний час досліджено властивості, побудовано моделі та теорії для основних неорганічних напівпровідників, але фізичний базис знань для органічних напівпровідників розвинутий недостатньо. Органічні структури мають ряд переваг у порівнянні з неорганічними елементами спеціального призначення. Одним з основних плюсів органічних напівпровідників в порівнянні з неорганічними є можливість використання дуже тонких плівок або плівкових структур (товщиною ~ 100 нм) отриманих простим та дешевим способом. Це призводить до зменшення як затрат, так і розмірів елементів нових органічних пристроїв електроніки. Для розробки органічних елементів напівпровідникової техніки необхідне глибоке розуміння електронних процесів, зокрема фотогенерації, розділення та транспорту носіїв заряду, що відбуваються як в об’ємі, так і на границі розділу цих напівпровідників. Тому дослідження тонкоплівкових структур органічних напівпровідників з метою оптимізації їх параметрів та отримання нових знань про їх властивості є актуальним для сьогоднішньої науки.

Цикл робіт "Процеси фотогенерації та перенесення носіїв заряду в тонкоплівкових структурах органічних напівпровідників" є вагомим вкладом в розвиток як фундаментальних знань про електронні процеси в органічних напівпровідниках, так і прикладного аспекту використання органічних тонкоплівкових структур в нових пристроях оптоелектроніки.



Метою роботи було дослідження процесів фотогенерації і транспорту носіїв заряду в тонкоплівкових структурах органічних напівпровідників, пошук способів підвищення фоточутливості та рухливості носіїв заряду, встановлення зв'язку між енергетичною структурою та параметрами для досліджуваних структур, а також пошук нових моделей органічних опто-електронних перемикачів.

Об'єднання робіт в єдиний цикл ґрунтується на основі досліджень електронних процесів фотогенерації та перенесення носіїв заряду в тонкоплівкових структурах фоточутливих органічних напівпровідників, що належать до класів найбільш перспективних матеріалів для практичного застосування:



  • похідні перилену (МРР, Р13) мають кращі рухливості серед термічно напилених органічних матеріалів;

  • похідні політіофену (полі-(3-октилотіофен) – Р3ОТ, полі-(3-гексилотіофен) – Р3НТ) мають кращі рухливості серед полімерних напівпровідників;

  • похідні фталоціаніну є дуже фоточутливими, термостабільними і широко використовуються в ксерокопіювальній та друкарській техніці як фоточутливий елемент електрофотографії. Нами вивчались, як нові мало досліджувані SnCl2 фталоціанін (SnCl2Pc), сульфонамідний фталоціанін цику (ZnPcSu), а також добре досліджений фталоціанін свинцю (PbPc).

Вищевказані класи речовин були використані для розробки тонкоплівкових елементів органічної електроніки, зокрема, польових транзисторів, сонячних елементів та опто-електронних перемикачів.

Об’єктами досліджень були:



  • тонкі плівки, як компоненти гетероструктур та польових транзисторів;

  • ізо(p-p+) та анізо(p-n)-типні двошарові гетероструктури;

  • тонкоплівкові структури польових транзисторів.

Для досліджень цих систем використовувавсь ряд експериментальних методик, зокрема, мікроскопія атомних сил (AFM), вольт-амперні характеристики (ВАХ) та спектроскопія (поглинання, фото-ерс, тощо).

Проведені систематичні дослідження ряду фоточутливих тонкоплівкових структур дозволяють виявити найбільш оптимальні компоненти, показати шляхи покращення їх параметрів, та краще зрозуміти природу електронних процесів в органічних напівпровідниках.



Наукова новизна одержаних результатів полягає в тому, що вперше:

  • запропоновано схему енергетичної структури електронних збуджених станів для плівок похідних перилену (МРР), яка враховує взаємодію молекул МРР в межах шару та між шарами;

  • проаналізовано енергетичну схему електронних переходів в плівках політіофену (P3HT), беручи до уваги різний вклад окремих молекул та молекулярних агрегатів, які проявляються у вигляді нановолокон;

  • встановлено, що слабкі смуги у спектрах поглинання, фото-ерс та фотовідбивання плівок SnCl2Pc (з максимумами при 1.34, 1.52 та 2.05 еВ) пов’язані з утворенням станів з переносом заряду (СТ-станів);

  • встановлено, що двошарові анізотипні (p-n) органічні ГС якісно описуються енергетичною моделлю Андерсона, яка не враховує поверхневі стани;

  • показано, що органічні ізотипні (р-р+) гетероструктури з великою кількістю поверхневих станів описується еквівалентною схемою двох діодів Шотткі, послідовно з’єднаних назустріч один одному;

  • висунуто та описано модель, яка пояснює утворення нерівноважного фотоструму шляхом формування комплексів з переносом заряду “політіофен-кисень” і подальшої дисоціації цих комплексів на негативно заряджені іони кисню та позитивно заряджені молекули полімеру;

  • запропоновано схему опто-електронного перемикання на основі органічного польового транзистора, де в ізоляторі відбувається фотохромна реакція з суттєвою зміною дипольного моменту, що і призводить до перемикання струму.

Практична значимість отриманих результатів полягає в наступному:

  • розроблено методи підвищення фоточутливості термічно напилених плівок органічних напівпровідників, та показано спосіб збільшення рухливості носіїв заряду в плівках політіофену;

  • виготовлено та досліджено нову гетероструктуру (PbPc/MPP) з широкою спектральною областю фоточутливості, що близька до спектральної області фоточутливості кремнієвих елементів;

  • встановлено, що використання ізотипних гетероструктур на основі похідних фталоціаніну для створення р-р+ переходів в багатошарових органічних сонячних елементах, дозволяє збільшити фото-ерс та розширити спектральну область фоточутливості;

  • визначені технологічні умови виготовлення органічних гетероструктур, при використанні яких можна зменшити швидкість поверхневої рекомбінації та розширити спектральну область фоточутливості фотоперетворювачів.

  • отримано опто-електонне перемикання в польових транзисторах на основі похідної політіофену з ефективністю порядку 106, де явище перемикання відбувається завдяки наявності нерівноважного фотоструму;

  • показано нову діючу модель опто-електонного перемикача, де завдяки фотохромній реакції з суттєвою зміною дипольного моменту на границі розділу напівпровідник/ізолятор відбувається перемикання струму.

Основні результати можна поділити на 5 розділів

В першому розділі було проаналізовано енергетичні схеми електронних збуджень досліджуваних матеріалів, що дуже важливо для розуміння процесів фотогенерації та розділення носіїв заряду в органічних напівпровідниках.

Дослідження структури поверхні похідної перилену (МРР) показало, що перехід від овальних до стрічкоподібних кристалітів починається приблизно при температурі підкладки термічного напилення (TS) 330 K. Ці зміни можуть бути зумовлені формуванням у плівках МРР двох поліморфних модифікацій. Спектри поглинання та збудження фотолюмінесценції плівок МРР в області 1.8-3.1 еВ складаються з двох мультиплетних смуг, які по-різному залежать від TS. Особливості спектрів поглинання плівок МРР пояснюються утворенням агрегатів, електронні рівні яких розщеплюються внаслідок нахилу агрегованих молекул одна відносно одної. Енергії електронних переходів для агрегатів (Ed) та ізольованих молекул (Em) пов’язані наступним чином:

Ed = Em + D ± γ (1)

де D – різниця енергій внаслідок взаємодії Ван дер Ваальса в основному і збудженому стані та γ – енергія розщеплення електронного рівня агрегатів на два підрівні відповідно принципу Паулі. За допомогою цієї моделі не можна коректно пояснити різні зміни інтенсивностей елементарних смуг в обох мультиплетних смугах з підвищенням TS, а також величина γ є надто великою для молекулярних кристалів. Тому було запропоновано новий механізм енергетичної структури, який, згідно з кристалічною структурою МРР, передбачає існування двох основних типів міжмолекулярних взаємодій: в межах шару або «в площині» та між сусідніми шарами. Наявність двох типів взаємодій призводить до різних значень D та (1), при цьому формування агрегатів першого типу призводить до утворення двох електронних рівнів нижче рівня Em, а внаслідок агрегації другого типу утворюються два електронні рівні вище рівня Em. При цьому відстань між сусідніми шарами МРР дуже мала, що свідчить про більшу ймовірність утворення СТ-станів в області hν > Em. Таким чином, запропонована енергетична схема враховує розміщення молекул в плівках МРР, добре узгоджується з отриманими результатами та корелює з літературними даними, що основний внесок у формування смуг поглинання плівок МРР при енергії квантів: hν < Em дають екситони Френкеля, а при hν > Em – CT-стани.

Також AFM аналіз структури поверхні показав наявність нановолокон в плівках політіофену (P3HT) отриманих з витриманого розчину. Спектри поглинання свіжого та витриманого розчинів P3HT та плівок отриманих з цих розчинів суттєво відрізняються. Вивчення енергетичної схеми електронних переходів в плівках політіофену (P3HT) дозволило оцінити різний вклад окремих молекул та молекулярних агрегатів (нановолокон) для різних способів виготовлення плівок: метод центрифугування та розпилювання розчину (спрей-коатінг). Плівки отримані з витриманого розчину мають суттєвий вклад смуг пов’язаних з агрегацією політіофену. При цьому вклад електронних переходів, що відповідають утворенню молекулярних агрегатів, на 8% більше для плівок виготовлених розпилюванням розчину і на 16% при центрифугуванні. Отже, при розпилюванні витриманого розчину частина волокон політіофену руйнується.

За допомогою спектрів поглинання, фото-ерс та фотомодульованого відбивання показано, що в плівках SnCl2Pc формуються не тільки екситони Френкеля, характерні для ізольованих молекул в розчині, а і екситони з переносом заряду, так звані СТ-стани, які утворюються внаслідок міжмолекулярного зв’язку між центральними атомами Cl та периферійними C-H атомами фталоціанінового кільця сусідніх молекул. Були визначені енергії цих СТ-станів: 1.34±0.02 еВ, 1.52±0.02 еВ та 2.05±0.02 еВ. При цьому смуга з максимумом при 1.34 еВ зумовлена поглинанням СТ-станів однієї поліморфної модифікації, вміст якої збільшується з ростом температури відпалу плівок, а смуги з максимумами при 1.52 та 2.05 еВ – іншої модифікації, вклад якої, навпаки, зменшується. Згідно з гаусовим розкладом спектрів поглинання плівок SnCl2Pc загальний вклад смуг поглинання СТ-станів складає ~ 15–20%, що характерно для плівок моноклінних модифікацій фталоціанінів з неплоскою структурою молекул.

В другому розділі підсумовано результати вимірювань ВАХ польових транзисторів і визначено рухливості носіїв заряду. Рухливості (μFET) визначались з нахилу ВАХ отриманої в режимі насичення струму стік-витік (ISD) транзистора:



(2)

де W і L – відповідно ширина та довжина каналу, Сins – поверхнева ємність ізолятора в польовому транзисторі, UG та UT – відповідно напруга на заслоні та порогова (threshold) напруга. Для термічно напиленої похідної перилену (Р13) отримано μFET = 0,35 см2 В-1с-1, що є дещо краще ніж показано в літературі для даного матеріалу. Для плівок похідних політіофенів отриманих з розчину: Р3НТ μFET = 0,015 см2 В-1с-1 і Р3ОТ – 10-4 см2 В-1с-1, що відповідає результатам представленим в літературі. В той час як для похідної фталоціаніну (ZnPcSu) нанесеної з розчину μFET дуже низька.

В третьому розділі узагальнено дослідження тонкоплівкових гетероструктур на основі органічних напівпровідників. Для розробки фоточутливих гетероструктур були вибирані компоненти, які поглинають значну частину сонячного світла, і при цьому ефективно утворюють носії заряду.

Фото-ерс ряду анізотипних гетероструктур значно більша, в порівнянні з фото-ерс окремих компонент. Наприклад, фото-ерс гетероструктур РbPc/MPP чи SnCl2Pc/пентацен (Pn) зростає більше ніж на порядок в порівнянні з фото-ерс окремих компонент, а для гетероструктур MPP/Pn – майже на 2 порядки. При цьому фото-ерс зростає в області сильного поглинання обох компонент, що свідчить про формування на границі розділу гетероструктур великого запірного згину зон та відповідного внутрішнього електричного поля, що призводить до збільшення ефективності розділення носіїв заряду. Таким чином показано, що ефективні органічні сонячні елементи можуть бути виготовлені на основі гетероструктур МРР/Pn, для яких спостерігалась найбільша фото-ерс, та гетероструктур PbPc/МРР, які мають більш широку спектральну область фоточутливості, ніж інші досліджувані гетероструктури.

Для визначення енергетичних діаграм досліджуваних анізотипних гетероструктур використовувалась енергетична модель Андерсона, яка не враховує наявність поверхневих станів на границі розділу, тому її застосування обмежено випадком невеликої концентрації центрів рекомбінації носіїв заряду на інтерфейсі компонент гетеропереходу. Використовуючи літературні дані визначено інтервал значень потенціального бар’єру (VD) біля границі розділу гетероструктур, що рівний різниці рівнів Фермі шарів p та n типу. Розкид значень VD обумовлений різними експериментальними даними в залежності від умов виготовлення та освітлення структур. Для порівняння параметрів моделі Андерсона з отриманими результатами визначено інтегральні значення фото-ерс (φi) шляхом інтегрування спектрів фото-ерс гетероструктур в області 1.2-3.2 еВ. Отримані φi корелюють зі значеннями VD. Таким чином модель Андерсона може бути використана для оцінки параметрів органічних анізотипних ГС, а, отже, і для визначення їх ефективності.

Також була оцінена можливість використання ізотипних органічних гетероструктур для підвищення ефективності багатошарових фотоперетворювачів. Ізотипні гетероструктури Pn/PbPc отримані термічним напиленням при TS = 300 К мають переміну знаку фото-ерс в області сильного поглинання однієї з компонент. Згідно з моделлю Ван Опдорп, запропонованою для неорганічних ізотипних гетероструктур, така переміна знаку в спектрах фото-ерс свідчить про формування біля границі розділу ізотипних гетероструктур великої концентрації центрів захоплення та рекомбінації носіїв заряду. І в результаті чого, цю гетерострукткру можна представити у вигляді двох діодів Шотткі, з’єднаних назустріч один одному. Використання такої моделі підтверджується дослідженням впливу підсвітки на спектральну залежність фото-ерс. Виявилось, що підсвітка зменшує фото-ерс компоненти гетероструктури, яка поглинає цю підсвітку, і в результаті нейтралізується відповідний діод Шотткі. Для гетероструктур Pn/PbPc отриманих при TS = 370 К відсутня переміна знаку, а максимальна фото-ерс майже в два рази більше, ніж для гетероструктур отриманих при TS = 300 К, що вказує на наявність невеликої концентрації центрів рекомбінації носіїв заряду на границі розділу ізотипних гетероструктур, виготовлених при TS = 370 К.

Спектри фото-ерс ряду досліджуваних анізотипних та ізотипних гетероструктур чітко корелюють зі спектрами компонент навіть в області сильного поглинання, що не завжди спостерігалось для плівок – компонент гетероструктур. Це свідчить про суттєве зменшення швидкості поверхневої рекомбінації при термічному нанесенні другого шару; в результаті чого утворюються гетероструктури з невеликою концентрацією центрів рекомбінації носіїв заряду біля границі розділу.

Оптимізація параметрів досліджуваних структур описана в четвертому розділі. Дослідження фотовольтаїчних властивостей термічно напилених плівок МРР показало, що зі збільшенням TS від 300 до 370 K, або в результаті відпалу при 350-370 К, відбувається суттєве зростання фото-ерс. В результаті збільшення TS від 300 до 370 K фото-ерс плівок МРР зростає в 4 рази, а зростання фото-ерс при відпалі плівок протягом години є істотно меншим (40-60%), ніж зі збільшенням TS при тих же температурах. Тобто, зміна ТА менш ефективно впливає на фото-ерс досліджуваних плівок, ніж зміна TS. Зростання фото-ерс може бути зумовлено як збільшенням довжини дифузії екситонів, так і зменшенням швидкості поверхневої рекомбінації носіїв заряду внаслідок покращення структурної впорядкованості кристалітів у плівках при збільшенні TS до 370 К. При подальшому збільшенні TS до 410 К структура плівок погіршується (зростає кількість структурних дефектів), що призводить до зростання S, зменшення довжини дифузії екситонів та фоточутливості шарів. Оцінка довжини дифузії екситонів у плівках МРР показала, що в області переважного поглинання екситонів Френкеля (2.05-2.15 еВ) довжина дифузії складає (25 ± 5) та (55 ± 5) нм для плівок виготовлених відповідно при 300 та 370 K. А в спектральній області, де головний вклад в спектри поглинання дають CT-стани (2.7-2.9 еВ), довжина дифузії – (10 ± 5) та (25 ± 5) нм для плівок, нанесених при 300 та 370 K. Таким чином, у плівках МРР довжина дифузії екситонів зростає в 2 рази зі збільшенням TS від 300 до 370 K.

Слід підкреслити, що ізотипні та анізотипні гетероструктури на основі ряду органічних напівпровідників, отримані термічним напиленням при TS до 370 К, є перспективними елементами для розробки органічних сонячних елементів, якщо на границі розділу гетероструктур не формується велика концентрація центрів захоплення носіїв заряду.

Також дослідження тонкоплівкових структур політіофену отриманих зі свіжого і витриманого розчинів дозволило покращити параметри, зокрема рухливості носіїв заряду, таких систем. Плівки отримані з витриманого розчину містять нановолокна полімеру. І завдяки наявності наноструктур полімеру, μFET плівок політіофену отриманих з витриманого розчину на порядок більше, ніж для плівок отриманих зі свіжого розчину, який не містить нановолокон. Використання методу центрифугування для нанесення плівок з розчину, що містить наноструктури полімеру, дозволяє отримувати більші μFET в порівнянні з методом розпилювання розчину. Це пояснюється з однієї сторони зменшенням концентрації нановолокон в процесі розпилювання розчину, а з іншої – частковим орієнтуванням цих волокон вздовж каналу транзистора за допомогою відцентрової сили при центрифугуванні розчину.

В п’ятому розділі представлено результати розробки та моделювання нових оптоелектронних пристроїв – перемикачів на основі органічних напівпровідників з кращими μFET – похідних політіофену та перилену. Оптоелектронний перемикач реалізовувався на основі структур польового транзистора, який повинен мати “оптичний вхід та електричний вихід”, тобто світлові імпульси мають керувати електричним струмом в напівпровіднику: збільшуючи (“вмикаючи”) та зменшуючи (“вимикаючи”) транспорт носіїв заряду в каналі транзистора.

У випадку похідних політіофену вдалось частково реалізувати таку модель. Оскільки в політіофені утворюється нерівноважний фотострум після освітлення польових транзисторів. Тобто струм після вимкнення освітлення був на кілька порядків більше ніж до освітлення. Такий нерівноважний струм повільно затухаючи може утримуватись протягом декількох днів. І звичайно за допомогою іншого імпульсу світла не вдасться зменшити цей струм. Проте більш детальне вивчення явища, показало, що швидке зменшення (“вимикання”) нерівноважного струму здійснюється прикладанням імпульсу негативної напруги до електроду заслону транзистора. В результаті отримано ефективне та оборотне опто-електонне перемикання з ефективністю (відношенням струмів у “ввімкненому” та “вимкненому” стані) порядку 106.

Величина і кінетика нерівноважного струму для структур політіофену сильно залежить від навколишньої атмосфери, особливо наявності кисню. Для пояснення ряду особливостей цього явища було запропоновано модель, яка пояснює утворення нерівноважного фотоструму формуванням комплексів з переносом заряду “політіофен-кисень”. Такі комплекси дисоціюють на негативно заряджені іони кисню, що можуть рухатись, та позитивно заряджені молекули полімеру. Довготривалість нерівноважного струму забезпечується формуванням градієнта негативно заряджених іонів біля позитивно зарядженого електрода. Такий ефект може бути використаний в опто-електронних пристроях пам'яті, де інформація записується оптичним способом і стирається електричним.

Для того щоб керувати електричним струмом в напівпровіднику виключно за допомогою світлових імпульсів було запропоновано використовувати оборотну фотохромну реакцію спіропіран-мероціанін. Особливістю цієї системи є суттєве зростання дипольного моменту при переході від основної форми спіропірану до метастабільного мероціаніну. При веденні спіропірану в матрицю політіофену фотохромна реакція не відбувається, що може бути викликано як перенесенням поглинутої енергії від фотохромної системи до молекул полімеру, так і об’ємними обмеженнями конформаційних змін при фотохромній реакції в політіофені.

Для того щоб використати фотохромну реакцію спіропіран-мероціанін в перемикачі, було запропоновано нову схему, де фотохромна реакція відбувається в ізоляторі транзистора, а в якості напівпровідника використано термічно напилений шар похідної перилену в якому не проявляється нерівноважний струм. Ізолятором в транзисторі був полімерний діелектрик з домішкою фотохромних молекул спіропірану. Збільшення струму (“вмикання”) відбувається при ультрафіолетовому освітленні, за допомогою якого фотохромний спіропіран переходить в форму мероціаніну з великим дипольним моментом. Повернення мероціаніну в спіропіран та зменшення струму (“вимикання”) відбувається при освітленні видимим світлом або в темряві шляхом термічної релаксації.

Для таких структур показано, що ефективність перемикання залежить від напруги на електроді заслону транзистора: 1,3 при великих напругах, бл. 2 - 3 в області порогової напруги і бл. 10 при напругах нижче порогового рівня. Щоб пояснити таку поведінку перемикача, враховувалась наявність та різний вклад дипольних фотохромних молекул, як на границі розділу органічний напівпровідник/ізолятор, так і в об’ємі діелектрика. При великих напругах на заслоні фотохромні молекули в об’ємі мають домінуючий вклад завдяки залежності діелектричної проникливості ізолятора від зміни дипольного моменту домішки. Підтвердженням такої залежності була оборотна зміна порогової напруги транзистора та ємності ізолятора. Аналітичний розрахунок показав фактично квадратичну залежність діелектричної проникливості діелектричного матеріалу від дипольного моменту домішки. При невеликих напругах заслону (менше порогових) свій вплив на ВАХ також проявляють заряджені стани на границі розділу напівпровідник/ізолятор, що утворюються завдяки великим дипольним моментам. Чим більше дипольний момент домішки, тим більша енергетична глибина таких станів. У випадку спіропірану маємо неглибокі стани, які слабо взаємодіють з носіями заряду, а для дипольного моменту мероціаніну енергетична глибина дозволяє підсилювати транспорт в каналі транзистора. Таким чином, будь-яка оборотна і керована зміна діелектричних властивостей ізолюючого шару транзистора може бути використана при розробці опто-електронних перемикачів.

Отже, в результаті дослідження процесів фотогенерації і перенесення носіїв заряду в тонкоплівкових структурах органічних напівпровідників, визначено способи оптимізації властивостей цих структур, встановлено зв'язок між енергетичною структурою та параметрами для досліджуваних структур, а також запропоновано нові моделі органічних опто-електронних перемикачів.

Загальна кількість публікацій в реферованих наукових журналах – 22 (зокрема 16 в міжнародних журналах з ненульовим імпакт-фактором); з них статей відібраних до серії робіт на здобуття премії – 15 (12 в міжнародних журналах з ненульовим імпакт-фактором). Також загальна кількість опублікованих тез конференцій – 30, з них – 24 за темою циклу робіт. За даними бази SCOPUS роботи автора цитуються в 41 публікації і h-індекс становить 4.



Список статей в реферованих наукових журналах включених до циклу робіт:

  1. J. Sworakowski, P. Lutsyk, Bistable organic materials in optoelectrical switches: two-electrode devices vs. organic field effect transistors, Ukrainian Journal of Physics 56, 10, 2011, pp. 1021-1029.

  2. U. Bielecka, P. Lutsyk, K. Janus, J. Sworakowski and W. Bartkowiak, Effect of solution aging on morphology and electrical characteristics of regioregular P3HT FETs fabricated by spin coating and spray coating, Organic Electronics 12, 2011, pp. 1768-1776.

  3. P. Lutsyk, Ya. Vertsimakha, S. Nešpůrek, I. Pomaz, Photosensitive heterostructures made of sulfonamide zinc phthalocyanine and organic semiconductor, Molecular Crystals and Liquid Crystals 535, 2011, pp. 18-29.

  4. P. Lutsyk, K. Janus, J. Sworakowski, G. Generali, R. Capelli, M. Muccini, Photoswitching of an n-type organic field effect transistor by a reversible photochromic reaction in the dielectric film, Journal of Physical Chemistry C 115, 2011, pp. 3106–3114.

  5. P. Lutsyk, J. Sworakowski, K. Janus, S. Nešpůrek, A. Kochalska, Photochromic systems as models for opto – electrical switches, Molecular Crystals and Liquid Crystals 522, 2010, pp. 211-228.

  6. P. Lutsyk, K. Janus, M. Mikołajczyk, J. Sworakowski, B. Boratyński, M. Tłaczała, Long-lived persistent currents in poly(3-octylthiophene) thin film transistors, Organic Electronics 11, 2010, pp. 490-497.

  7. P. Lutsyk, Ya. Vertsimakha, Organic iso-type double-layer heterostructures based on the pentacene, hexathiopentacene and lead phthalocyanine, Molecular Crystals and Liquid Crystals 496, 2008, pp. 138-151.

  8. O. Aksimentyeva, Ya. Vertsimakha, P. Lutsyk, D. Polovyi, Polyaniline - organic semiconductor heterostructures, Molecular Crystals and Liquid Crystals 496, 2008, pp. 152-160.

  9. Ya. Vertsimakha, P. Lutsyk, K. Palewska, J. Sworakowski, O. Lytvyn, Optical and photovoltaic properties of thin films of N, N`-dimethyl-3,4,9,10-perylenetetracarboxylic acid diimide, Thin Solid Films 515, 2007, рp. 7950-7957.

  10. Ya. Vertsimakha, P. Lutsyk, Оrganic iso-type pentacene – lead phthalocyanine heterostructures, Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics 10, 2, 2007, pp. 81-85.

  11. P. Lutsyk, J. Misiewicz, A. Podhorodecki, Ya. Vertsimakha, Photovoltaic properties of SnCl2Pc films and SnCl2Pc/pentacene heterostructures, Solar Energy Materials and Solar Cells 91, 2007, pp. 47-53.

  12. Ya. Vertsimakha, P. Lutsyk, p-n type heterostructures based on N, N`-dimethyl perylene-tetracarboxylic acid diimide, Molecular Crystals and Liquid Crystals 467, 2007, рp. 107-122.

  13. Я.І. Верцімаха, П.М. Луцик, Екситони з переносом заряду в плівках SnCl2-фталоціаніну, Український фізичний журнал 52, 1, 2007, с.54-60.

  14. A.B. Verbitsky, Ya.I. Vertsimakha, P.N. Lutsyk, S.L. Studzinsky, S. Bereznev, J. Kois, Properties of CuInS2 free surface and effect of organic layers on these properties, Semiconductors 40, 2006, pp. 197-201.

  15. P. Lutsyk, Ya. Vertsimakha, Organic p-n type heterostructures based on the hexatiopentacene, Molecular Crystals and Liquid Crystals 426, 2005, pp. 265-276.

скачать файл



Смотрите также:
Національна академія наук україни інститут держави І права ім. В. М. Корецького виговський дмитро Леонідович
274.85kb.
Національна Академія Наук України індифікаційний код єдрпоу 00019270. 6 Дата прийняття комітетом з конкурсних торгів замовника рішення
28.14kb.
Національна академія наук україни інститут держави І права ім. В. М. Корецького
291.34kb.
Національна академія наук України
164.91kb.
Національна Академія Наук України Інститут матеріалознавства нан україни ім. І. М. Францевича Колективний договір на 2009-2012 рр Прийнято на зборах представників трудового колективу ІПМ нан україни
308.26kb.
Національна Академія Наук України Київський університет права
95.56kb.
Національна академія наук україни київський університет права
182.88kb.
Міністерство освіти і науки України Харківська національна академія міського господарства
1235.84kb.
Оцінка цілісних майн
54.03kb.
Наказ №39 м. Київ Про підсумки проведення проектного етапу Всеукраїнського інтерактивного конкурсу «ман-юніор» Відповідно до постанови Кабінету Міністрів України №785 від 27. 08. 2010
435.28kb.
Національна комісія з цінних паперів та фондового ринку
76.57kb.
В. В. Сухонос, д-р юрид наук, професор, декан юридичного факультету двнз “Українська академія банківської справи Національного банку України”
125.74kb.